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等離子體增強化學氣相沉積係統（PECVD）
https://www.visacardi.com/products/detail/735.html
Fri, 28 Aug 2020 07:52:53 +0000
https://www.visacardi.com/products/detail/735.html
等離子體(ti) 增強化學氣相沉積係統（PECVD），三溫區CVD係統，生長樣品腔的管徑60-120mm，它是由高溫管式爐、多路高精度流量控製與(yu) 供氣係統、機械泵、真空密封及測量係統、尾氣處理係統組成，極限真空度可達 10^-5 torr 。
主要特點：
1，優(you) 勢在於(yu) 薄膜材料、低維納米材料等的製備（尤其適用於(yu) 過渡金屬二維半導體(ti) 材料的生長與(yu) 原位摻雜，以及多元二維材料的生長）
2，可選配遠程等離子射頻發生係統，可用於(yu) 薄膜材料、低維納米材料等的等離子體(ti) 輔助生長、刻蝕加工與(yu) 材料表麵修飾（尤其適用於(yu) 石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長，缺陷調控，以及器件製作工藝中的殘膠去除）
3，生長工藝設計先進，能滿足襯底無催化生長
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設備主要技術參數
| 溫控參數 |
|
單位 |
| 溫度 |
1200 |
℃ |
| 功率 |
6.5 |
kw |
| 溫控精度 |
±1 |
℃ |
| 真空係統 |
|
|
| 真空泵 |
1 x 10-3 (7.5 x 10-4) |
mbar (Torr) |
| 真空泵(開氣鎮) |
1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2) |
mbar (Torr) |
| 真空泵(使用PEPE 油) |
1 x 10-2(7.5 x 10-3) |
mbar (Torr) |
| 腔體內真空度 |
優於2.0*10-2 |
Torr |
| 流量控製參數 |
|
|
| 泄露率 |
＜4×10-9 |
atm-cc/secHe |
| 分辨率 |
全量程的0.1% |
|
| 響應時間氣特性 |
<2 |
s |
| 響應時間電特性 |
500 |
ms |
| 尾氣吸收參數 |
|
|
| 材質 |
殼體鋁合金、不鏽鋼 |
|
| 吸氣腔 |
聚四氟乙烯 |
|
| 等離子體係統參數 |
|
|
| 功率輸出 |
5 – 300，5 – 500 |
W |
| 信號頻率 |
13.56 ±0.005% |
MHz |
| 反射功率 |
200 |
W |
| 功率穩定度 |
±0.1% |
|
| 諧波分量 |
≤-50 |
dbc |
| 供電電壓 |
187V – 253V —- 頻率50/60HZ |
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詳細情況歡迎您谘詢我們(men) ，客服電話：400-966-2800
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等離子體修飾係統
https://www.visacardi.com/products/detail/733.html
Thu, 28 May 2020 07:51:32 +0000
https://www.visacardi.com/products/detail/733.html
等離子體(ti) 修飾係統，利用三溫區管式爐，通過氧氣輔助化學氣相沉積技術，在藍寶石襯底上外延生長了大尺寸、高質量的單層二硫化鉬薄膜。在生長過程中引入氧氣，不僅(jin) 能夠有效的阻止三氧化鉬源中毒，降低形核密度，而且還能減小硫空位密度，從(cong) 而實現了大尺寸單晶單層二硫化鉬的生長。
利用等離子體(ti) 修飾係統，在自限生長的前提下，目前已實現了兩(liang) 英寸晶圓級高質量單層二硫化鉬的外延生長，並通過改進轉移設備，實現了晶圓級薄膜的零汙染且襯底無損轉移。單層二硫化鉬薄膜均勻覆蓋在整個(ge) 藍寶石襯底上，而且沒有縫隙，沒有重疊層。 薄膜由晶粒尺寸為(wei) 1 微米，相對取向為(wei) 60 º的晶粒拚接而成。成型薄膜隻包含 60 º晶界。
等離子體(ti) 修飾係統產(chan) 品優(you) 勢
1. 有效避免固態源中毒；
2.成膜均勻性好；
3.成膜麵積大；
4.快速、生長速度可控。
圖：兩(liang) 英寸單層二硫化鉬的取向外延生長
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