等離子體增強化學氣相沉積係統(PECVD)有哪些部分組成？

等離子體(ti) 增強化學氣相沉積係統哪些部分組成(PECVD)？很多老師不了解PECVD的組成，下麵必威betwei小編為(wei) 大家介紹一下。

等離子體(ti) 增強化學氣相沉積係統（PECVD），生長樣品腔的管徑60-120mm，它是由高溫管式爐、多路高精度流量控製與(yu) 供氣係統、機械泵、真空密封及測量係統、尾氣處理係統組成，極限真空度可達 10^-5 torr 。

等離子體(ti) 增強化學氣相沉積係統(PECVD)主要特點：

1，優(you) 勢在於(yu) 各種薄膜材料、低維納米材料等的製備（尤其適用於(yu) 過渡金屬二維半導體(ti) 材料的生長與(yu) 原位摻雜，以及多元二維材料的生長）

2，可選配遠程等離子射頻發生係統，可用於(yu) 各種薄膜材料、低維納米材料等的等離子體(ti) 輔助生長、刻蝕加工與(yu) 材料表麵修飾（尤其適用於(yu) 石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長，缺陷調控，以及器件製作工藝中的殘膠去除）

3，生長工藝設計先進，能滿足襯底無催化生長

以上就是必威betwei小編介紹的等離子體(ti) 增強化學氣相沉積係統(PECVD)有哪些部分組成，如果您想要了解更多，歡迎您谘詢我們(men) ，客服電話：400-966-2800