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等離子體(ti) 增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)

等離子體(ti) 增強化學氣相沉積-製取方法
在沉積室利用輝光放電使其電離後在襯底上進行化學反應沉積的半導體(ti) 薄膜材料製備和其他材料薄膜的製備方法。等離子體(ti) 增強化學氣相沉積是：在化學氣相沉積中，激發氣體(ti) ，使其產(chan) 生低溫等離子體(ti) ，增強反應物質的化學活性，從(cong) 而進行外延的一種方法。 [1] 該方法可在較低溫度下形成固體(ti) 膜。例如在一個(ge) 反應室內(nei) 將基體(ti) 材料置於(yu) 陰極上，通入反應氣體(ti) 至較低氣壓(1～600Pa)，基體(ti) 保持一定溫度，以某種方式產(chan) 生輝光放電，基體(ti) 表麵附近氣體(ti) 電離，反應氣體(ti) 得到活化，同時基體(ti) 表麵產(chan) 生陰極濺射，從(cong) 而提高了表麵活性。在表麵上不僅(jin) 存在著通常的熱化學反應，還存在著複雜的等離子體(ti) 化學反應。沉積膜就是在這兩(liang) 種化學反應的共同作用下形成的。激發輝光放電的方法主要有：射頻激發，直流高壓激發，脈衝(chong) 激發和微波激發。

等離子體(ti) 增強化學氣相沉積-優(you) 點
等離子體(ti) 增強化學氣相沉積的主要優(you) 點是沉積溫度低，對基體(ti) 的結構和物理性質影響小；膜的厚度及成分均勻性好；膜組織致密、針孔少；膜層的附著力強；應用範圍廣，可製備各種金屬膜、無機膜和有機膜。

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