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在電子束曝光下使用納米位移台時，樣品可能會(hui) 受到電子束的熱影響。為(wei) 了避免或降低這種影響，可以采取以下措施：
使用低電子束能量： 降低電子束的能量可以減少其在樣品上產(chan) 生的熱效應。選擇適當的電子束加速電壓，使其保持在相對較低的水平，以減少熱損耗。
限製曝光時間： 減少電子束照射的時間，以降低樣品的熱積累。將曝光時間限製在必要的節點，以獲得所需的成像或分析結果。
使用脈衝(chong) 電子束： 如果設備支持，可以考慮使用脈衝(chong) 電子束而非連續電子束。脈衝(chong) 電子束照射時間短，有助於(yu) 減少熱傳(chuan) 導到樣品的程度。
散熱： 提供樣品附近的有效散熱係統，以幫助快速冷卻樣品表麵。這可以通過空氣或液體(ti) 冷卻係統來實現。
使用導熱性好的樣品支持： 選擇具有較好導熱性的樣品支持，以幫助迅速傳(chuan) 遞熱量，防止在樣品上產(chan) 生過多的熱積累。
考慮樣品固定： 在進行電子束曝光之前，可以考慮使用合適的固定劑或支撐結構來確保樣品的穩定性。這有助於(yu) 減小因電子束造成的振動和熱效應。
避免高電流密度： 盡量避免使用高電子束的電流密度。選擇適當的束流，以減小對樣品的熱影響。
監測溫度： 在實驗過程中監測樣品的溫度。使用溫度監測設備，如紅外熱像儀(yi) 或熱電偶，以實時監測樣品的溫度，確保不超過安全範圍。
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