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納米位移台對溫度變化極為(wei) 敏感，哪怕是微小的溫度波動（如 ±0.1°C）都可能對其定位精度和重複性造成顯著影響。這是因為(wei) 溫度變化會(hui) 引起材料熱膨脹、傳(chuan) 感器漂移和驅動特性變化，從(cong) 而影響平台的實際位移和控製性能。以下是具體(ti) 影響解析：
1. 材料熱膨脹導致定位誤差
位移台的構件（如台體(ti) 、導軌、壓電陶瓷、基座等）通常由金屬或陶瓷構成，它們(men) 都有各自的熱膨脹係數。溫度升高時，結構微觀膨脹，會(hui) 直接導致：
靜態位置發生漂移；
運動路徑出現微小偏差；
重複掃描時不能保持相同軌跡。
2. 傳(chuan) 感器（尤其是電容位移傳(chuan) 感器）受溫度影響
高精度納米位移台通常配有電容傳(chuan) 感器或應變計，用於(yu) 反饋控製位置。然而這類傳(chuan) 感器對溫度也敏感，可能出現：
零點漂移；
量程偏移；
反饋控製誤差。
如果係統沒有溫度補償(chang) 機製，誤差會(hui) 隨時間累積。
3. 壓電材料性能隨溫度變化
壓電陶瓷驅動器的響應與(yu) 溫度密切相關(guan) ，溫度上升可能導致：
驅動靈敏度變化（相同電壓下位移不同）；
滯後特性增強；
熱釋電效應造成信號漂移；
運動不穩定或抖動增強。
尤其在動態掃描或閉環控製下，壓電非線性和熱效應會(hui) 疊加影響控製精度。
4. 控製係統漂移
如果控製器內(nei) 部或傳(chuan) 感放大電路未進行溫度補償(chang) ，也會(hui) 因環境溫度變化導致誤差傳(chuan) 入反饋環節，使平台運行偏慢、起跳滯後或抖動增大。
5. 溫差引起熱流動，影響整體(ti) 穩定性
在空氣環境中，如果位移台上下表麵存在溫差，還可能因對流或熱流引起微小的結構應力，進一步影響穩定性。這對長時間連續測量（如掃描成像或納米加工）特別不利。