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納米位移台掃描軌跡彎曲時，要判斷原因，核心是區分機械因素、控製因素和環境因素，不同品牌或類型的位移台表現差異很大，判斷方法也略有不同。可以按下麵幾個(ge) 方向分析。
1. 判斷機械誤差
手動或緩慢單軸運動測試：先讓 X、Y 分別單軸運動一段固定距離，觀察軌跡是否直。
彎曲沿固定方向重複出現，通常是導軌不平直、絲(si) 杆彎曲、鉸鏈或支撐變形。
機械載荷或偏心裝載也會(hui) 讓運動方向產(chan) 生偏移，可嚐試重新居中負載或減輕重量。
2. 判斷控製誤差
開環驅動容易產(chan) 生累積偏差：同樣指令下，軌跡可能沿某方向彎曲。
檢查 PID 或閉環參數：比例、積分、微分增益不當，會(hui) 導致橫向耦合或過衝(chong) ，表現為(wei) 彎曲軌跡。
對多軸台，X 運動引起 Y 微位移，Y 運動引起 X 微位移，也會(hui) 出現彎曲，需要做耦合補償(chang) 。
3. 判斷環境因素
台麵震動、溫度梯度或空氣流動可能導致微米/納米級偏移，尤其在慢速長行程掃描中容易出現彎曲軌跡。
電磁幹擾可能影響閉環傳(chuan) 感器信號，造成局部偏移。
4. 判斷方法總結
單軸測試：先在 X 或 Y 單獨運動，看軌跡是否直。
對比不同速度：慢速和中速運動軌跡差異，如果低速更彎曲，多半是摩擦或爬行；高速彎曲，偏向控製或慣性問題。
檢查重複性：重複同一軌跡多次，偏差是否一致。機械因素表現為(wei) 重複偏移一致，控製或環境因素偏差可能隨機或與(yu) 速度/方向相關(guan) 。