等離子體修飾係統

等離子體(ti) 修飾係統，利用三溫區管式爐，通過氧氣輔助化學氣相沉積技術，在藍寶石襯底上外延生長了大尺寸、高質量的單層二硫化鉬薄膜。在生長過程中引入氧氣，不僅(jin) 能夠有效的阻止三氧化鉬源中毒，降低形核密度，而且還能減小硫空位密度，從(cong) 而實現了大尺寸單晶單層二硫化鉬的生長。

利用等離子體(ti) 修飾係統，在自限生長的前提下，目前已實現了兩(liang) 英寸晶圓級高質量單層二硫化鉬的外延生長，並通過改進轉移設備，實現了晶圓級薄膜的零汙染且襯底無損轉移。單層二硫化鉬薄膜均勻覆蓋在整個(ge) 藍寶石襯底上，而且沒有縫隙，沒有重疊層。 薄膜由晶粒尺寸為(wei) 1 微米，相對取向為(wei) 60 º的晶粒拚接而成。成型薄膜隻包含 60 º晶界。

等離子體(ti) 修飾係統產(chan) 品優(you) 勢

1. 有效避免固態源中毒；

2.成膜均勻性好；

3.成膜麵積大；

4.快速、生長速度可控。

圖：兩(liang) 英寸單層二硫化鉬的取向外延生長

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